A pesar de primera y segunda generación de alto ancho de banda de memoria de haber hecho algunas apariciones en el envío de productos, Samsung y Hynix ya están trabajando en una continuación: HBM3. Objeto de burlas en el simposio Hot Chips en Cupertino, Calfornia, HBM3 ofrecerá una mejor densidad, ancho de banda y la eficiencia energética. Tal vez lo más importante, sin embargo, dado el alto costo de lay, HBM3 será más barato de producir.
Con configuraciones de memoria convencional, chips de RAM se colocan uno junto al otro en una placa de circuito, por lo general lo más cerca posible al dispositivo de lógica (CPU o GPU) que necesita acceso a la RAM. HBM, sin embargo, se acumula un montón de memoria RAM muere (los dados?) En la parte superior de uno al otro, que conecta directamente con vías a través de silicio (TSVs). Estas pilas de RAM se colocan entonces en el paquete de chip de lógica, que reduce el área de superficie del dispositivo (Furia Nano de AMDes un buen ejemplo), y potencialmente proporciona un gran impulso en el ancho de banda.
La desventaja, sin embargo, como con la mayoría de técnicas de embalaje de lujo, ha sido el precio y capacidad. HBM1, tal como se utiliza en las tarjetas gráficas de AMD Fury, estaba limitado a 4 GB pilas. HBM2, como se usa entarjeta gráfica P100 estación de trabajo de sólo de Nvidia, Cuenta con la mayor densidad se acumula hasta hasta 16 GB, pero es prohibitivamente caro para las tarjetas de consumo.
Leer 6 párrafos restantescomentarios
| Tweet |
No hay comentarios:
Publicar un comentario